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浏览量:
1000
产品描述
Plateform:
Trench MOSFET
Configuration:
Single-ESD
Package:
DFN2x2
N/P:
N
VDSS(V):
30
VGS(V):
±12
ID(A):
12
VGS(th) Min:
0.7
VGS(th) Max:
1.3
Rdson @VGS10V Typ(mΩ):
10.5
Rdson @VGS10V Max(mΩ):
13
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ):
11.5
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ):
15
Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ):
14.5
Rdson @VGS2.5V Max(mΩ):
20
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