全部分类
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
-
电路防护
-
功率晶体管
-
二极管和小信号晶体管
-
电源管理
-
射频&无线
产品通用筛选
Plateform
请选择
-
确定
Package
请选择
-
确定
N/P
请选择
-
确定
VDSS(V)
请选择
-
确定
ID(A)
请选择
确定
已选
清空筛选
- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMD637S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -3.9
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 78
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD637S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 6.3
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 37
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 170
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6004GLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 146
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 134
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM1662
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package DFN1006-3
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 0.33
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1900
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2500
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 2000
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 3000
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4004GF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 118
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6004GF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 81
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4004GF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 75
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN1005GF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 99
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM175N10GB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 175
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN10012GS8
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 12.3
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15.6
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM80N10GF5
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 97
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4002F5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 145
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1.7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6036S8D
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 5.5
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 35
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 42
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMBSS84
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -0.17
- VGS(th) Min -0.9
- VGS(th) Max -2
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3300
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 8000
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3500
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10000
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4007GF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 49
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5.8
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN4007GF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 84
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP60130D
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 163
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 196
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 240
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMP60130U
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -3
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 163
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 196
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 190
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 240
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
上一页
1
2
3
下一页
