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Plateform
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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- CMN30406TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 100
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.3
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.7
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CMN30406TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 46
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 9.1
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM18N50BTF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 330
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM18N50BTP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 18
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 270
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 330
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN30608TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 74
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4.1
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN30608TF5AD
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 41
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD637S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) -60
- VGS(V) ±20
- ID(A) -3.9
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 65
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 78
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 105
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD637S8
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package SO-8
- N/P N+P
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 6.3
- VGS(th) Min 1.2
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 25
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 29
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 37
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
-
- CM05N50TD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1600
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CM05N50TU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 5
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1600
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
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- CMN6003GLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 170
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6004GLA
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TOLL
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 146
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.2
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM13N50TF
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220F
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 13
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 480
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 550
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM13N50TP
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 13
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 480
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 550
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM03N50HU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 500
- VGS(V) ±30
- ID(A) 3
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM3236W
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single-ESD
- Package SOT-323
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±10
- ID(A) 1.4
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1.1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 123
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 147
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 130
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 156
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 143
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 186
-
加入对比
-
- CM2305TW
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 34
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 44
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 64
-
加入对比
-
- CM2312J
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 6.1
- VGS(th) Min 0.5
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 21
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 20
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 27
-
加入对比
-
- CMN6003GB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 134
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.2
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM70R600D
- Plateform SJ MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 700
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7.4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 500
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 600
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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