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    • CMN10090TD
    • CMN10090TD
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 12.2
    • VGS(th) Min 1
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 86
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
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    • CMN10090TF3
    • CMN10090TF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN3.3x3.3
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 12
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 86
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    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 118
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CMN100A0GSD
    • CMN100A0GSD
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-251
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 1
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 155
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN100A0GSU
    • CMN100A0GSU
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 11
    • VGS(th) Min 1
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    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 115
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • CMN4002LSF5
    • CMN4002LSF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 150
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2.6
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 3
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 4
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN2310A0GS
    • CMN2310A0GS
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
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    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 160
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    • CMN2610A0GS
    • CMN2610A0GS
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-6L
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 90
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 110
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 120
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 160
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CM26104
    • CM26104
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package SOT-23-6L
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 3.1
    • VGS(th) Min 1.2
    • VGS(th) Max 3
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 68
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 90
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 80
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    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
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    • 加入对比
    • CMN10090TU
    • CMN10090TU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 12.2
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 86
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 105
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 95
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 125
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10023TF3
    • CMN10023TF3
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package DFN3030
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 21
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 25
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 30
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 26
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 33
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN20010GTLA
    • CMN20010GTLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 200
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 104
    • VGS(th) Min 2.5
    • VGS(th) Max 4.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 10.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4006SU
    • CMN4006SU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 80
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 8
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMP6011SF5
    • CMP6011SF5
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P P
    • VDSS(V) -60
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) -54
    • VGS(th) Min -1
    • VGS(th) Max -2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 15
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 14
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 18.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN8004GTLA
    • CMN8004GTLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 85
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 144
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.6
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4005XU
    • CMN4005XU
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-252
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 87
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.5
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10008GSF5
    • CMN10008GSF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 47
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 9
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 11
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 15.6
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10007GTF5
    • CMN10007GTF5
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package PDFN5x6
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 82
    • VGS(th) Min 1
    • VGS(th) Max 2.5
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6.1
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 7.6
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 10
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10003XGB
    • CMN10003XGB
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-263
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 180
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN10003XGLA
    • CMN10003XGLA
    • Plateform SGT MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TOLL
    • N/P N
    • VDSS(V) 100
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 175
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.3
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4
    • Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
    • Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
    • 加入对比
    • CMN4003HSP
    • CMN4003HSP
    • Plateform Trench MOSFET
    • Configuration Single
    • Package TO-220
    • N/P N
    • VDSS(V) 40
    • VGS(V) ±20
    • ID(A) 120
    • VGS(th) Min 2
    • VGS(th) Max 4
    • Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.8
    • Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.6
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