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产品通用筛选
Plateform
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Package
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)
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- 商品图片
- P/N
- Plateform
- Configuration
- Package
- N/P
- VDSS(V)
- VGS(V)
- ID(A)
- VGS(th) Min
- VGS(th) Max
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
- CMPA13ASF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P P
- VDSS(V) -12
- VGS(V) ±10
- ID(A) -18
- VGS(th) Min -0.5
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 21
-
加入对比
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- CMD21825SSF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N+P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±12
- ID(A) -27
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 13
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 17
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 16.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 22
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 23
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 30
-
加入对比
-
- CMD21825SSF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package PDFN3.3x3.3
- N/P N+P
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 26
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 13
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 16.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 14
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 18.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 17
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 23
-
加入对比
-
- CM3407S
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -4
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 60
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 70
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 90
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN2016ESF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±10
- ID(A) 11
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 12.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 12.5
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 16.5
-
加入对比
-
- CMN2006SF2
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN2x2
- N/P N
- VDSS(V) 20
- VGS(V) ±12
- ID(A) 17
- VGS(th) Min 0.4
- VGS(th) Max 1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.5
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 6.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 9
-
加入对比
-
- CMN6003GSP
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN6003GSB
- Plateform SGT MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 60
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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加入对比
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- CMN3008SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 6
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 7.5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 11.5
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM07N65AHB
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-263
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 7
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 1200
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 1400
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -30
- VGS(V) ±20
- ID(A) -39
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 12
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 16
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD30811YTF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 45
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 7
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 9
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 10
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 13
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P P
- VDSS(V) -100
- VGS(V) ±20
- ID(A) -11
- VGS(th) Min -1
- VGS(th) Max -2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 95
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 115
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 130
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMD101312RSF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Dual
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 100
- VGS(V) ±20
- ID(A) 8
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 100
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 120
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 140
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 180
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005SF3
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN3.3x3.3
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 57
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 5
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CMN3005SF5
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package DFN5x6
- N/P N
- VDSS(V) 30
- VGS(V) ±20
- ID(A) 66
- VGS(th) Min 1
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 3.9
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 4.8
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 5.4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 7
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65EHD
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-251
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM04N65EHU
- Plateform Planar MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-252
- N/P N
- VDSS(V) 650
- VGS(V) ±30
- ID(A) 4
- VGS(th) Min 2
- VGS(th) Max 4
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2400
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 2900
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
-
加入对比
-
- CM2305S
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package SOT-23
- N/P P
- VDSS(V) -20
- VGS(V) ±10
- ID(A) -4.1
- VGS(th) Min -0.4
- VGS(th) Max -1
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS10V Max(mΩ)
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 38
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 46
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ) 50
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ) 65
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加入对比
-
- CMN4004GWP
- Plateform Trench MOSFET
- Configuration Single
- Package TO-220
- N/P N
- VDSS(V) 40
- VGS(V) ±20
- ID(A) 120
- VGS(th) Min 1.3
- VGS(th) Max 2.5
- Rdson @VGS10V Typ(mΩ) 2.5
- Rdson @VGS10V Max(mΩ) 3.3
- Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ) 4
- Rdson @VGS4.5V Max(mΩ) 5.2
- Rdson @VGS2.5V Typ(mΩ)
- Rdson @VGS2.5V Max(mΩ)
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